近来，用横向湿法氧化工艺生长的A1.O，半导体结构DBR被用来实现低阈值、高效率的VCSEL。氧化物／半导体DBR的VCSEL结构方案也被提出。这种结构的DBR的特点是折射率差高、高反射率波段范围宽和反射相位变换平滑等。上述特点减小了光场在DBR中的渗透深度，这样也相应地减小了谐振腔的有效腔长，减少了谐振腔所产生的光模式，提高了激射效率。 　　采用A1.Oy／GaAs的DBR有一个技术难点，就是在异质界面处Ga和0的键合力太小。 　　受热或受压都有可能引起DBR的断层。为了解决这一问题，人们