图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成，有源区上、下两边分别由多层1／4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。 　　图 垂直腔面发射激光器结构示意图 　　由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构，使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点： 　　（1）由于VCSEL的腔长较短，只有数个等效波长的量级，因而其相邻模式的间距很大，一般为几十纳米。这要求材料

VCSEL的基本工作原理与其他的半导体激光器相类似。都是通过将电流注入到有源区，并在有源区内提供足够的增益，才有光模式激发出来。VCSEL中光子的寿命只是略短于边发射激光器，与边发射激光器不同的是其极短的腔长及反射镜极高的反射率。本节主要对VCSEL相关内容进行介绍。 　　不过，一些在边发射激光器中应用的近似方法就无法在分析VCSEL的工作原理时继续使用，正是因为如此，才得以发现一些VCSEL与边发射激光器所不同的特点。比如，边发射激光器的轴向限制因子通常都是根据谐振腔的长度来近似计算的，但是