元件选择参见图B，其中VS1采用1－3A、400V以上的单向可控硅，VS3采用10－25A，600－800V的双向可控硅。U采用2A、400V的全桥，亦可采用四只二极管VD1－VD4构成桥式整流电路。在选择TWH8778时应测量一下，①端加10V的直流电压，⑤端加1.6V电压应能导通，当⑤端电压下降至1.2V时，②、③端输出电压应为0V，即完全关断。光电耦合器可选用TIL117或TIL113，输入电压为1.3V，输入电流在200uA左右即可控制。R2采用150K、1W以上金属膜电阻器，C1采用1