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  1. 基础电子中的实际的同步管道突发式SRAM

  2. 下面我们看一下实际的同步管道突发式SRAM,这次我们作为实例的产晶是Cypress公司的128K×36位的CY7C1347B。之所以采用36位而不是32位,是因为考虑到每隔8位(一个字节)能进行验证的情况。    CY7C1347B的内部框图如图1所示,信号种类如图2所示。这些信号除了以一字节为单位进行写人操作的BW″信号以外,还包括进行onJL位整体写入操作的GW。在CPU的突发周期中,当可以一次性更新1字大小(36位)的数据时使用GW;当从外部更新1字节或2字节大小的数据时使用BW刀信号,这
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:179200
    • 提供者:weixin_38569651
  1. 基础电子中的实际的同步突发式SRAM

  2. 我们将Cypress公司的CY7C1345B作为同步突发式SRAM的实例,它具有与CY7C1347B相同的128K×36位的结构,其内部框图如图所示。由框图可知,与CY7C1347B相比,除了没有输出寄存器以外,其他完全相同,只是将控制信号等BWn改名为BWSn,其他方面完全相同,请参照同步管道突发式SRAM的说明。     图  CY7C1347B的内部框图    另外,从框图我们可知,同步突发式SRAM的写人周期与同步管道突发式SRAM的相同,所以在此我们只说明读操作。  来源:ks99
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:97280
    • 提供者:weixin_38678406