在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 　　可控硅有一重要个特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。 　　在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳