瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。 　　I型(CC型)特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。 　　II型(CT型)特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。 　　CC1型圆片高频瓷介电容器：适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。 　　允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数：-150--- -1000PPM/C