IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

场效应管是一种较新型的半导体器件，其外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性截然不同。普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的日的，即信号源必须提供一定的电流才能I作。因此，它的输入电阻较低，仅有几千欧。场效应管则是电压控制元件。它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109～1010Ω，这是它的突出特点。此外，场效应管还具有热稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小等优点，所以现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109W功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因

场效应管是一种带有PN结的新型半导体器件，场效应管与半导体三极管的控制机理不同，它是一种电压控制器件,即利用电场效应来控制管子的电流，故命名为场效应管(用FET表示)。目前场效应管的品种很多，但可划分为两大类，一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅型场效应管，又叫金属一氧化物一半导体绝缘场效应管，通常简称为MOS场效应管。    　　同半导体三极管有PNP和NPN两种类型一样,场效应管根据其沟道所采用的半导体材料不同，又可区分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道就是电流的通道。    　　与半导体三极