恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。 　　即将面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A，10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm(