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  1. 基础电子中的验证射频功率晶体管的耐用性

  2. 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗?这种耐用性适用于哪些类型的应用?本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。   众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:107520
    • 提供者:weixin_38741195