MBE工艺在外延生长的应用非常广泛，具有以下优点： 　　（1）生长速率低，一般情况下其生长速率为1 μm／h、1个单层/s，理论上可以在原子尺度改变组分与掺杂。 　　（2）生长温度低，如生长GaAs时的衬底温度约为550～650℃，这样就可以忽略生长层中的相互扩散作用。 　　（3）可以通过掩模的方法对材料进行三维的控制生长。 　　（4）由于生长工艺在超高真空中进行，因此可以在生长室中安装各种分析设备，这样就可以在生长的整个前后过程对外延层进行在位测量和分析。 　　（5）在现代MBE生长