SOI（Silicon－On－Insulator，绝缘层上覆硅）技术的出现虽然已有30多年，但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为SOl技术有可能替代在特殊场合应用的SOS（Silicon～On－Sapphire）技术。然而，由于发现薄膜SOl MOSFET具有极好的按比例缩小性质，使得SOl技术在深亚微米VLSI中的应用具有极大的吸引力，潜力很大。最后，SOl技术和器件的研发取得了惊人的进展，己从首次激光再结晶实验发展到CMOS ／ SIMOX SRAM及以硅基SOl微电子