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  1. 基础电子中的VCSEL光腔的设计

  2. 在多对DBR结构中,若中间区域某一层的厚度偏离1/4个波长,则在该结构中会形成驻波。最简单的情况是将中间的间隔设定为半波长,这样可以与两边的DBR层一起,构成了一个小的F-P谐振腔。VCSEL的光腔厚度约为一个波长左右,如图所示。光腔中的有源层两边围着高带隙的包层。低带隙的有源层和高带隙的包层材料中的导带和价带的偏移,限制了载流子的移动。为了在谐振腔里提供光增益,制作多量子阱结构,F-P腔的光场最大值就在中心处。将量子阱位置与光场最大值处交叠,量子阱就可以提供最大的增益。例如,对应于发射波长65
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    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:84992
    • 提供者:weixin_38655496
  1. 基础电子中的VCSEL中反射镜的设计

  2. VCSEL中的DBR反射镜需要对光场进行纵向的限制。而且由于谐振腔长度较短,故反射损耗比较大,因此反射率必须要很高,最好能超过99%。如图1所示,DBR反射镜由1/4个波长厚度的高反射率和低反射率的介质材料交替组成。将多个这样的交替结构排列起来,所构成反射器的反射率就可以达到99%。   图1 腔长为1个波长的量子阱VCSEL结构   图2是一个典型的红外波段F-P腔结构VCSEL的计算反射率示意图。在反射谱中波长为850 nm处有一个下跌,正好在反射镜的高反射带的中间处,与光腔的谐振波
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:145408
    • 提供者:weixin_38532629
  1. 基础电子中的VCSEL的总体结构设计

  2. 图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成,有源区上、下两边分别由多层1/4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR,出射光方向可以是顶部或衬底,这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。   图 垂直腔面发射激光器结构示意图   由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构,使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点:   (1)由于VCSEL的腔长较短,只有数个等效波长的量级,因而其相邻模式的间距很大,一般为几十纳米。这要求材料
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:102400
    • 提供者:weixin_38727798