您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 基础电子中的VCSEL的总体结构设计

  2. 图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成,有源区上、下两边分别由多层1/4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR,出射光方向可以是顶部或衬底,这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。   图 垂直腔面发射激光器结构示意图   由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构,使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点:   (1)由于VCSEL的腔长较短,只有数个等效波长的量级,因而其相邻模式的间距很大,一般为几十纳米。这要求材料
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:102400
    • 提供者:weixin_38727798