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  1. PN结工作原理相关知识

  2. pn结 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38704284

  1. 模拟电路中PN结原理

  2. 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38665122

  1. 基础电子中的肖特基二极管原理和应用

  2. 一、肖特基二极管简介 　　肖特基二极管是德国科学家肖特基（Schottky）1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns以内）等优点。 　　应用特点：适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。 　　二、肖特基产品特性 　　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38503233

  1. LED照明中的基于大功率LED恒流驱动器的设计及其实例

  2. 大功率LED原理是是一个电光转换的过程，当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。广泛的应用于室内外装饰、特种照明方面，而大功率LED恒流驱动方案有利于对新的应用打下基础。 　　恒流驱动和提高LED的光学效率是LED应用设计的两个关键问题，本文介绍大功率LED的应用及其恒流驱动方案的选择指南，然后以美国国家半导体（NS）的产品为例，重点讨论如何巧妙应用LED恒流驱动电路的采样电阻提高大功率LED的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38590738

  1. 基础电子中的什么叫单向可控硅（晶闸管）-单向双向可控硅（晶闸管）工作原理

  2. 一、什么叫单向可控硅(晶闸管)-:单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　下为单向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号 　　二、双向晶闸管(可控硅)是什么:双向可控硅具有两个方向轮流导通、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 基础电子中的单向双向可控硅（晶闸管）结构原理图

  2. 一、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　单向可控硅结构和电路符号图 　　二、双向可可控硅（晶闸管）结构原理：双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38640443

  1. 基础电子中的pn结的形成-形成PN结的原理

  2. PN结及其形成过程 　　在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。 　　1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 　　在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴而电子很少，这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子要从N型区向P型区扩散， 也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。 　　2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区 　　电子和空穴带有相反的电荷，它们在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38673798

  1. 基础电子中的PN结的构成

  2. 把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法，一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN结，如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能，就是有单方向导电的能力。 　　图一　PN结单向导电原理 　　如果将P型半导体部分连接至电源的正电极，N型半导体部分连接电源的负电极，这种连接称为正向连接，在电子技术中叫做正向偏置。茬正向偏置的条件下，N区电压较P区为负，它将吸引P区的多数载流子(空穴)，使之穿过PN结流向N区;P区电压较N区电压为正，也将吸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38662367