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  1. 增强型和耗尽型场效应晶体管

  2. 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38720997

  1. 场效应管的识别与检测

  2. 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 1 场效应管的分类 场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管又分为N沟

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38714370

  1. MOSFET结构及其工作原理详解

  2. 1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Stat

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：280576
    • 提供者：weixin_38507208

  1. n沟mos管导通条件

  2. n沟mos管导通条件 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。 可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38595528

  1. 简析场效应管如何分类

  2. 场效应管的分类 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） 1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38548421

  1. MOS管和IGBT管到底有什么区别吧

  2. 在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：297984
    • 提供者：weixin_38530115

  1. 简析P沟MOS晶体管

  2. P沟MOS晶体管 P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38704922

  1. 基础电子中的MOS微电子技术简介

  2. MOS场效应晶体管是金属－氧化物－半导体场效应晶体管的简称，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 　　与双极型三极管不同，MOS晶体管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同，又

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：198656
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 维库小知识：场效应管的识别与检测

  2. 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 　　1  场效应管的分类 　　场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：218112
    • 提供者：weixin_38560797

  1. MOS管和IGBT管有什么区别？不看就亏大了

  2. 在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？　　下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！　　什么是MOS管？　　场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。　　MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。　　MOSFET又可分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38631225

  1. MOS管和IGBT管的前世今生，该如何选择？

  2. 在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？　　下面我们就来了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧！　　  什么是 MOS 管？　　场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS 管）。　　MOS 管即 MOSFET，中文全称是金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：266240
    • 提供者：weixin_38700240