多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。

非晶硅太阳电池是1976年有出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，电耗更低，非常吸引人。1997年占世界PV发货量的15%，目前已形成30MW/年的生产规模。针对a-Si电池初始效率较低，且有光致衰退问题，开展了大量深入研究工作。通过减少材料中的Si—H2键、减少O2、N2等杂质沾污，利用H2稀释技术等制备高质量i层；同时优化电池结构设计，采用多带隙叠层结构；既提高了初始效率又提高了其稳定性，目前最好电池的稳定效率达13%。近年来a-Si电池的产