我们提出了一个统一的理论框架，用于通过与次GeV暗物质相关的各种通道（核线圈，电子跃迁和单声子激发）计算自旋无关的直接检测率。 尽管涉及到非常不同的物理原理，但在每种情况下，速率都会分解为平方的粒子级矩阵元素，并且是目标材料和通道特定的动态结构因子的积分。 我们展示了如何在相同的过程中在所有三种情况下得出动态结构因子，并在多个方面扩展了文献中的先前结果。 对于电子跃迁，我们结合了方向依赖性，并指出了散射速率每天均具有强烈调制的各向异性目标材料。 对于单声子激发，我们从通用自旋无关耦合的第一原理中