随着输出功率、转换效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低，大功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。大部分商业化销售的半导体激光器阵列/巴条是用铟作为焊料封装的。然而，在半导体激光器封装过程中不可避免地会在贴片层形成一些小空洞，这些小空洞在铟的电迁移和电热迁移作用下逐渐变大，这将导致芯片贴片层形成大量的空洞，造成芯片局部温度迅速上升。针对808 nm连续波40 W传导制冷单巴条半导体激光器阵列，系统地分析了半导体激光器贴片层空洞对发光点温度的影响以及贴片层内不同位置不同尺寸的空洞对发