大功率半导体激光器的应用日益广泛。随着激光器光功率的不断增加, 其结温也在急速上升。激光器结温的升高不仅会导致寿命、斜率效率和功率下降, 阈值电流增大, 而且会引起波长漂移, 光谱展宽等, 因此开展半导体激光器热设计和热优化的研究显得越来越重要。用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 W, 808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究, 定量确定了半导体激光器的温升及其构成, 以及器件的时间常数。此外, 还对半导体激光器件做了热优化, 并在分析结果的指导