设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有小快轴远场发散角，大光斑面积及低腔面光能密度，低光腔内吸收损耗和高内量子效率等性能。通过引入4 μm厚弱光限制Al0.1Ga0.9As波导，激光器二极管的远场发散角降到20°，光斑宽度增到接近1 μm。量子阱位置偏调后得到的薄上波导层非对称波导结构可以使激光二极管即使在