对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断。LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV。理论分析和老化实验均表明,电流指数βV与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其βV较小,可靠性较差。