我们介绍了对深非弹性散射中大量电荷电流系数函数的下一个到下一个领先的QCD校正的计算细节。 特别是，我们专注于中子在固定目标上的中微子散射中的夸克生成中的应用，可以通过dimuon最终状态进行测量。 我们为计算构建了一个快速接口，因此对于任何parton分布，都可以使用预先生成的插值网格在几毫秒内评估横截面。 我们讨论了与NuTeV和CCFR dimuon数据有关的各种理论预测的一致性，以及结果对确定奇夸克分布的影响。