我们推导了在较高导数引力的特定理论中，从双孔到黑洞的膜的有效方程，即爱因斯坦-高斯-贝尼特（EGB）引力，以1 / D的先导阶数到高斯-贝尼特（GB）的线性次序 参数β。 我们找到一个熵电流的表达式，该表达式满足该体制中第二定律onshell的本地版本。 对于EGB引力，我们还以1 / D推导了膜方程，直至领先，但以β为扰动。 在这种情况下，我们写下了世界范围内的膜应力张量的表达式，并得出了固定黑洞的有效膜方程。