提出了一种补偿刻蚀法：在经过常规光刻热熔成形和离子束刻蚀技术制成的硅微透镜阵列上再涂敷几层光刻胶,以降低各单元微透镜的曲率,然后再次进行加热固化和离子束刻蚀。扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的球冠形阵列,表面探针测试结果显示用补偿刻蚀法制作的微透镜的F数和F′数分别可达到31.62和35.8而常规光刻热熔法很难制作出F数和F′数分别超过1.00和4.00的微透镜阵列。光学填充因子也由常规方法的64.3%提高至78.5%,并且微透镜的点扩散函数也更接近理想值。