我们在任意d维中检查临界O（N）标量模型和Gross-Neveu模型中较高自旋电流的异常维。 提议将这两个模型分别作为A型和B型Vasiliev理论的对偶。 通过使用共形摄动理论，我们将异常尺寸的已知结果重现到1 / N的领先顺序。 这项工作可以看作是先前关于3维关键O（N）标量的工作的扩展，其中表明，可以将对AdS 4上较高自旋场的质量的批量计算映射为共形的边界 摄动理论。 两种理论的异常维度在仅取决于d的总因子之间彼此一致，并且我们通过利用N = 2 $$ \ mathcal {N} = 2