德国奇梦达（Qimonda）和法国Altis Semiconductor联合开发出了2位/单元的多值化65nm工艺MRAM存储元件。此次是首次使用微细存储元件对MRAM多值化的可能性进行实证。两公司在美国旧金山举行的“2006 IEDM”上发表了该存储元件（演讲序号：6.5）。 　　通过磁性层的磁化相对角实现4值 　　奇梦达开发的MRAM存储元件是被称为热选择（Thermal Select）型的产品，能比较容易地抑制消费电流随微细化增大。利用电流流经存储元件时生产的热量轻松反转存储层磁化方向的特