在《如何处理高di/dt负载瞬态（上）》中，我们讨论了电流快速变化时一些负载的电容旁路要求。我们发现必须让低等效串联电感（ESL）电容器靠近负载，因为不到0.5 nH便可产生不可接受的电压剧增。实际上，要达到这种低电感，要求在处理器封装中放置多个旁路电容器和多个互连针脚。本文中，我们将讨论达到电源输出实际di/dt要求所需的旁路电容大小。 　　为了讨论方便，图1显示了电源系统的P-SPICE模型。本图由补偿电路电源、调制器（G1）和输出电容器组成。内部还包括互连电感、旁路电容负载模型、DC负载

就许多中央处理器 （CPU） 而言，规范要求电源必须能够提供大而快速的充电输出电流，特别是当处理器变换工作模式的时候。例如，在 1V 的系统中，100 A/uS 负载瞬态可能会要求将电源电压稳定在 3% 以内。解决这一问题的关键就是要认识到这不仅仅是电源的问题，电源分配系统也是一个重要因素，而且在一款解决方案中我们是很难将这二者严格地划清界限。 　　这些高 di/dt 要求的意义就在于电压源必须具有非常低的电感。重新整理下面的公式并求解得到允许的电源电感： 　　在快速负载电流瞬态通道中电

就许多中央处理器(CPU)而言，规范要求电源必须能够提供大而快速的充电输出电流，特别是当处理器变换工作模式的时候。