异步SRAM产品分为快速与低功耗两个极为不同的产品类型，每个系列都具有其自己的一系列特性、应用和价格。快速异步SRAM具有更快的存取速度，但功耗较高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。     从技术角度看，需要进行这样的利弊权衡：在低功耗SRAM中，使用特殊栅极诱导漏极泄漏（GIDL）控制技术来控制待机电流，以控制待机功耗。这些技术涉及在上拉路径或下拉路径中增加额外的晶体管，这样存取延迟就会加剧，从而会增加存取时间。在高速SRAM中，存取时间具有最高优先级，因此无法使用这种技术。此外，该晶