近十年来，在高速成长的非易失性存储器（NVM）市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相变RAM（PRAM）或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。 　　新一代存储技术显现 　　“多、快、省”特点 　　MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力及动态随机存储器（DRAM