导读：安森美半导体（ON Semiconductor）推出5款新的静电放电（ESD）抑制器，用于当今最先进的接口。正待批专利的设计技术及工艺技术使这些器件能够提供业界最低的电容及ESD钳位电压，适合用于极高数据率接口及小几何尺寸芯片组。 　　ESD8000瞬态电压抑制器（TVS）系列达到0.35皮法拉（pF）的最大电容规格，16安培（A）电流时的ESD钳位电压低至8 V,符合IEC61000-4-2 Level 4之8千伏（kV）接触放电规范。极低电容可保持数据率高于10 Gbps时的数据线路

导读：安森美半导体（ON Semiconductor）推出5款新的静电放电（ESD）抑制器，用于当今的接口。正待批的设计技术及工艺技术使这些器件能够提供业界的电容及ESD钳位电压，适合用于极高数据率接口及小几何尺寸芯片组。 　　ESD8000瞬态电压抑制器（TVS）系列达到0.35皮法拉（pF）的电容规格，16安培（A）电流时的ESD钳位电压低至8 V,符合IEC61000-4-2 Level 4之8千伏（kV）接触放电规范。极低电容可保持数据率高于10 Gbps时的数据线路信号完整性，几乎消