本文提出了一种新的纳米级梯度沟道栅堆叠，双栅应变硅MOSFET结构及其二维解析模型。假定界面，并考虑了掺杂的影响以及高，低掺杂区的长度。该模型用于获得两个区域中表面势和电场的表达式。 扩展分析以获得阈值电压（Vth），亚阈值电流和亚阈值摆幅的表达式。 结果表明，沟道中的渐变掺杂分布可抑制短沟道效应（SCE），例如Vth滚降，漏极诱导的势垒降低（DIBL）和热载流子效应。 已将如此获得的结果与使用设备模拟器ISE-TCAD获得的模拟结果进行了比较，发现该一致性良好。