PN结电容 　　增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压（硅芯片为0.6 V）的正偏置电压，势垒电容是主要的电容。在实际应用中，根据结面积和掺杂浓度的不同，势垒电容可以小至零点几pF，也可以达到几百pF。结电容与施加的偏置