在贝尔实验室和亚利桑那大学光学中心研究人员的共同努力下，第一次在半导体器件中观察到光学双稳性，它能以低输入功率在室温下工作。以前观察到的低输入功率器件仅能工作在120 °Κ以下，此种全光开关系统基于GaAs层和GaAlAs层交替的“超点阵”。这两种材料结合时，在室温下有很大的非线性,可以低于毫微焦耳的能量开启器件。