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  1. 半导体激光直接倍频的488nm蓝光激光器

  2. 利用波导型准相位匹配周期极化反转铌酸锂(PPLN)晶体直接倍频波长为976 nm的连续半导体激光二极管,在最佳晶体工作温度(28 ℃)下,获得了波长为488 nm的连续蓝光输出,最大输出功率大于20 mW。所用的晶体尺寸为8 mm×1.4 mm×1 mm,波导截面为4.5 μm×3.5 μm,极化周期为5.2 μm。研究了波导型周期极化反转铌酸锂晶体的倍频效率与温度的关系,与普通的周期极化反转铌酸锂相比,倍频效率与温度关系的敏感度较低。同时,由于晶体可以在室温下工作,简化了加温与温控部件,提高了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：645120
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 产生太赫兹辐射源的Nd:YAG双波长准连续激光器

  2. 产生太赫兹波辐射的方法可分为电子学和光子学两大类。在光子学领域,非线性光学差频方法是获取高功率、低成本、便携式、室温运转太赫兹波的主要方法之一。实验研究了激光二极管(LD)端面抽运Nd:YAG 1319 nm/1338 nm双波长准连续线偏振运转激光器,理论计算了输出双波长在非线性晶体DAST(4-N,N-dimethylamino-4′-N′-methyl-stilbazolium tosylate)中差频产生太赫兹辐射的平均功率。在重复频率50 kHz时,双波长激光平均输出功率达到2.22

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：631808
    • 提供者：weixin_38642636

  1. 高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

  2. 超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：620544
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 室温下高效率连续波激光二极管端面抽运Tm∶YAP激光器

  2. 报道了一种室温下高效率运行的激光二极管(LD)端面抽运Tm∶YAP连续波激光器。抽运源使用波长为795 nm的光纤耦合二极管激光器, Tm∶YAP晶体c轴切割, 掺杂原子数分数为3%, 尺寸为3 mm×3 mm×7 mm。当输出镜透过率T为10% 时, 获得8.12 W的1.94 μm连续波激光输出, 相对应的抽运功率为26.2 W, 阈值抽运功率为4.67 W, 斜率效率为52.1%, 光-光转换效率为31.0%。使用光栅单色仪测得激光器输出中心波长为1938. 2 nm, 谱线半峰全宽约为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：791552
    • 提供者：weixin_38509504

  1. 用二极管激光可能在室温多量子位阱材料中产生非线性光学效应

  2. 贝尔实验室的研究人员已经完成据信是用半导体二极管激光作为单独的光源所进行的首次非线性光学实验。贝尔科学家已经证明简并四波混频实验可以很容易地用市售连续功率为毫瓦级的半导体激光器来完成。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：830464
    • 提供者：weixin_38706294

  1. 室温连续波二极管激光器

  2. 美帝贝耳电话实验室已在室温下实现双异结砷化镓合金注入式激光器的连续运转。这种注入式激光器可成为小信号应用中的理想光源。它很小，可由标准的二极管制作法制得，而且它不象固体与气体激光器，不用效率很低的电-光晶体就能直接调制。这种方便的调制方法对于光通讯及信号处理系统特别有用，因为复杂的宽带信息必须靠光学载波传送，并以光学频率处理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1016832
    • 提供者：weixin_38558054