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  1. 电感器中寄生电容的去除方法研究

  2. 电感器中寄生电容的去除方法研究。介绍了电感器设计关于寄生电容的参数。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2016-02-03
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：shuiying5417750

  1. 什么是寄生电感_PCB寄生电容和电感计算

  2. 什么是寄生电感 寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。 在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感。 L=5.08h［ln（4h/d）+1］其中L指过孔的电感，h是过孔的长度，d是中心钻孔的直径。从式中可以看出，过孔的直径对电感的影响较小，而对电感影响最大的是过孔的长度。仍然采用上面的例子，可以计算出过孔的电感为：L=5.08x0.050

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38603875

  1. 电容传感器寄生电容干扰的产生原因及其消除方法

  2. 　　分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因，以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容，以提高传感器的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38611796

  1. 外部寄生电容干扰消除法

  2. 本文将介绍外部寄生电容干扰消除法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38707061

  1. PCB过孔寄生电容和寄生电感计算

  2. PCB过孔寄生电容和寄生电感计算 PCB过孔本身存在着寄生电容，假如PCB过孔在铺地层上的阻焊区直径为D2,PCB过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,基板材介电常数为,则PCB过孔的寄生电容数值近似于： C=1.41TD1/(D2-D1) PCB过孔的寄生电容会给电路造成的主要影响......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38636655

  1. 一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38668274

  1. 电容传感器寄生电容干扰的产生原因及消除方法

  2. 分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因，以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容，以提高传感器的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 过孔的寄生电容和电感

  2. 过孔本身存在着寄生的杂散电容，如果已知过孔在铺地层上的阻焊区直径为D2,过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介电常数为ε,则过孔的寄生电容大小近似于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38617297

  1. 电容传感器寄生电容产生原因及消除方法

  2. 本文主要介绍电容传感器寄生电容产生原因及消除方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38654855

  1. 元器件应用中的如何妙用二极管减少寄生电容

  2. 二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用；其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。 　　上次我们分享了关于“如何妙用二极管的导通压降”的知识，之后有用户要求了解更多有关电子类器件的知识，这里就来讲讲“如何妙用二极管减少寄生电容”。 　　二极管参数—单向导电性 　　提到二极管，大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V（硅管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：187392
    • 提供者：weixin_38750721

  1. 基础电子中的过孔的寄生电容和电感及如何使用过孔

  2. 一、过孔的寄生电容和电感 　　过孔本身存在着寄生的杂散电容，如果已知过孔在铺地层上的阻焊区直径为D2,过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介电常数为ε,则过孔的寄生电容大小近似于： 　　C=1.41εTD1/(D2-D1) 　　过孔的寄生电容会给电路造成的主要影响是延长了信号的上升时间，降低了电路的速度。举例来说，对于一块厚度为50Mil的PCB板，如果使用的过孔焊盘直径为20Mil（钻孔直径为10Mils），阻焊区直径为40Mil,则我们可以通过上面的公式近似算出过孔的寄生电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38733245

  1. 元器件应用中的一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 0 引 言 　　VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。 　　1 基本原理 　　功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cg

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：178176
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 元器件应用中的寄生电容、电容寄生效应

  2. 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38680340

  1. 元器件应用中的电容传感器寄生电容干扰的产生原因及消除方法

  2. 摘　要： 分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因，以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容，以提高传感器的性能。       关键词： 电容传感器； 寄生电容； 干扰； 驱动电缆技术； 整体屏蔽技术 引    言       电容式传感器具有结构简单，灵敏度高，温度稳定性好，适应性强，动态性能好等一系列优点，目前在检测技术中不仅广泛应用于位移、振动、角度、加速度等机械量的测量，还可用于液位、压力、成份含量等热工方面的测量中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：125952
    • 提供者：weixin_38748875

  1. 采用重新设计的PGD算法提取3D IC互连寄生电容

  2. 采用重新设计的PGD算法提取3D IC互连寄生电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：393216
    • 提供者：weixin_38542148

  1. 具有3-D端子和端子边缘组件的基于场的寄生电容模型

  2. 具有3-D端子和端子边缘组件的基于场的寄生电容模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：883712
    • 提供者：weixin_38550459

  1. 纳米级相变存储（PCM）单元中的临界寄生电容

  2. 纳米级相变存储（PCM）单元中的临界寄生电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：549888
    • 提供者：weixin_38621104

  1. 硅穿通Kong（T-TSV）的寄生电容的温度相关特性

  2. 硅穿通Kong（T-TSV）的寄生电容的温度相关特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38705723

  1. 高K 栅MOSFET栅-源/漏寄生电容的半解析模型

  2. 高K 栅MOSFET栅-源/漏寄生电容的半解析模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1014784
    • 提供者：weixin_38748769

  1. 具有极小的寄生电容和漏极感应势垒降低的自对准U型栅极碳纳米管场效应晶体管

  2. 引入了用于碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的新型自对准U栅极结构，并显示出与以前的最佳CNT FET相当的出色的性能，可重复性开发了自对准器件结构。 特别是，U栅极FET的亚阈值摆幅为75 mV / dec，漏极引起的势垒降低有效地为零，这表明整个CNT通道的静电势最受U栅极控制，并且CNT该器件是性能良好的FET。 此外，研究了U栅FET的高频响应，并测量了该器件的寄生电容，该寄生电容比先前开发的自对准器件结构的寄生电容小一个量级。 直接频域测量表明，U栅CNT FET可以在高达800

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38642285
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