您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 密勒电容效应 密勒电容效应

  2. •對低頻響應有影響的“大C”→短路(高頻時)。 •對高頻響應有影響的“C”← 主動裝置各端間所感應的”C” 網路連線間的“C效應” •對反相放大器(Vo與Vi差180°→Av<0負值) 輸出入C↑⇐ 元件輸出入端間”極間電容”及放大器“增益”
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2010-01-15
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:wys3433533
  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. TI高精度实验室-压摆率 2.pdf.pdf

  2. TI高精度实验室-压摆率 2.pdfpdf,TI高精度实验室-压摆率 2.pdfBody Effect on Slew Rate Gate Drain ource Body P+ N-Well P-Substrate Body Capacitance 20pF 3 TEXAS INSTRUMENTS o Remember from the first slew rate video that each input pin of an op-amp is connected to a transi
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743737
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:628736
    • 提供者:maosheng007
  1. 元器件应用中的六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间,因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg,栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:63488
    • 提供者:weixin_38610717
  1. 如何实现开环推挽逆变器软开关

  2. 电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:   1、功率管开关损耗大,如图1所示。MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零的时间,由此带来了开关损耗,并且这个损耗随着工作频率的提高而加大,限制了更高频率的采用。   2、为了避免两管同时导通,设置了较大的死区时间,也因此而带来了占空比的损失,其产生的后果是,功率管利用率降低,需要更大电流的功率管,电源脉动电流增大,引起滤波电解过热。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:108544
    • 提供者:weixin_38607552
  1. 六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间,因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg,栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:57344
    • 提供者:weixin_38502290