研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法,使用过氧化氢(H2O2)和氟酸(HF)作为光化学媒质,使用ArF紫外激光作为光源,无需事先加工抗蚀膜,可直接在硅表面进行蚀刻.在H2O2与HF的浓度比为1.3时,蚀刻效果最佳,当激光能量密度为29 mJ/cm2, 照射脉冲数为10000次时,得到210 nm的蚀刻深度.