我们介绍了在不同能级下e + e- ation灭中成对的Bc介子产生的理论分析，并考虑了全部次于领先的QCD校正。 考虑了两种可能的电弱通道：通过虚拟光子和通过虚拟Z玻色子生产。 我们详细研究了辐射QCD校正的作用，发现该校正在低能量下尤其重要。 结果表明，Z玻色子的贡献在高能（s> MZ / 2）时尤为明显，特别是在伪标量和矢量（Bc +Bc⁎）介子成对产生的情况下。 还分析了由P侵犯与Z玻色子的弱相互作用引起的方位角不对称性。