射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用

射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用

采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。

采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下，沉积气压对其结构和光学性能的影响。薄膜的微观结构通过X射线衍射和原子力显微镜进行表征；利用光栅光谱仪测试了各薄膜样品的透射谱，在此基础上利用包络线法拟合分析得到了薄膜的折射率。结果表明，所获得的AlN薄膜样品呈晶态，其晶格属六方晶系，沉积气压增大对AlN薄膜的生长取向有一定影响。薄膜在可见光及近红外区域透明，表面平整、致密，结晶状况良好，薄膜的折射率和沉积速率均随沉积气