上海宏力半导体制造有限公司日前发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。 　　宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸小，编程效率高和无过度擦除的优点，显着减少了嵌入式闪存模块的面积，在市场上极具竞争力。与此同时，此新技术具有极高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。 　　该新制程兼容了宏力半导体0.13微米所有的通用和低功耗逻辑制程，易于技术迁移。此兼容特性可确保让客户购