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嵌入式系统/ARM技术中的FPGA的静态功耗分析与降低技术(二)
3 FPGA结构中基本单元漏电流分析 3.1 晶体管的漏电流原理 晶体管的漏电流主要包括源漏之间的亚阈值漏电流(Isub)和栅漏电流(Igate),但随着导电沟道的缩短,也带来了其他的漏电流。图5所示为在短沟道下所有的漏电流。 I1为pn结的反偏漏电流。 I2为源漏之间的亚阈值漏电流。它是在栅压低于阈值电压Vth时,在亚阈值区域有弱的反型而形成的电流。 I3为穿过栅氧化层形成的栅电流。它是由于栅氧化层厚度越来越薄,电子穿过栅氧化层产生的电流。 I4、I
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:159744
提供者:
weixin_38724370