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  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EE
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38645379
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Ramtron推出4位非易失性状态保存器FM1110/2/4

  2. 非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。     FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:53248
    • 提供者:weixin_38747592