摘要：多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成。为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战。文中以一款基于SMIC O．13um工艺的OSD显示芯片为例，从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计，提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法。 　　0 引言 　　随着集成电路的发展，越来越多的ASIC和SoC开始使用嵌入式SRAM来完成数据的片上存取功能。但嵌入式SRAM的高密集性物理结构使得它很容易在生产过程中产生物理