摘要：本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法，并以0.5um, 双层金属，65V高压CMOS工艺实现，电路实现了包括磁滞，防相位锁死与自动重启动等功能，并注意了功率输出管的电压钳位，以及减少尖峰电流的发生。 　　1879 年，马里兰州立大学研究生霍耳发现：沿x 方向流过的电流受到其垂直方 向（z 方向）的磁场作用时，带电离子会受到y 方向的磁力影响而产生电势积累， 这就是霍耳效应。其中产生的电势差被称为霍耳电压。由于变化的磁场会产生变 化的电场，那么，利用霍耳效应做磁场监测是可行的