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  1. AN1332_电流检测电路概念和基础.pdf

  2. 微芯公司的官方教程，AN1332，本应用笔记重点讨论电流检测电路的概念和基础。将介绍电流检测电阻和电流检测技术，并说明三种典型的上桥臂电流检测实现方案以及各自的优点和缺点。AN1332 上桥臂电流检测 上桥臂电流检测的实现 如图2所小,上桥臂电流检测将检测电阻连接在电源和 在不能容忍接地干扰并且需要短路检测的应用(例如, 负载之间。检测到的电压信号经后面的运放电路放人得 电机监控、过流保护和监控电路、汽车安全系统以及电 到可测量的voUT 池电流监视)中,通常选择上桥臂电流检测。 本节将讨种典型

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2019-07-26
    • 文件大小：328704
    • 提供者：sectionfirst

  1. 差分放大器中的不匹配效应及消除方法

  2. 叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38721691

  1. 差分放大器中的不匹配效应及消除方法研究

  2. 随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-14
    • 文件大小：445440
    • 提供者：weixin_38602982

  1. 差分放大器中的不匹配效应及消除方法

  2. 随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：428032
    • 提供者：weixin_38597970

  1. 模拟技术中的差分放大器中的不匹配效应及消除方法

  2. 随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。在短沟道CMOS电路中由于不匹配性引起的特性变化可能会限制器件尺寸的减小而影响工艺水平的发展，这样不匹配性的消除就显得更重要。 　　1 差分放大器性能 　　差分放大器的目的是抑制共模输出，增大差模输出。期望差模输出电压随差模输入电压的变化而成比例变化。任

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：302080
    • 提供者：weixin_38624557