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  1. 差分放大器中的不匹配效应及消除方法研究

  2. 随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-14
    • 文件大小：445440
    • 提供者：weixin_38602982