通常在有效场论（EFT）中介绍希格斯门控单峰费米子DM（SFDM）或矢量DM（VDM）DM模型中的隐形希格斯分支比（Bhinv）与暗物质（DM）直接检测（σpSI）之间的相关性 ）框架。 在本文中，我们导出了具有希格斯门户的SFDM和VDM模型的UV填充内这种相关性的显式表达式，并讨论了EFT方法的局限性。 我们表明，在uv完井中，σpSI中至少存在两个其他隐藏参数：单重态标量质量m2及其与SM希格斯玻色子（h）的混合角α。 特别是，如果单重态标量比SM希格斯玻色子轻（m2 <mhcos⁡