通过同时使用声光（AO）调制器和GaAs饱和吸收器，给出了二极管泵浦双Q开关和锁模（QML）YVO（4）/ Nd YVO（4）激光器的平均输出功率和脉冲宽度测量了Q开关包络线的Q值。双QML激光器的Q开关脉冲能量高于仅使用GaAs的情况。与仅使用GaAs相比，具有双损耗调制的QML激光器的稳定性得到了显着改善。实验结果表明，双QML YVO（4）/ Nd YVO（4）激光器具有近80％的调制深度，并且比单个无源QML脉冲的调制深度更深。Q开关包络内的双Q开关锁模脉冲具有通过使用双曲正割平方函数并