基于一款0.18 μm工艺下常规设计带隙基准源，使用单粒子瞬态脉冲电流模型分析了常见CMOS两级放大器的单粒子敏感性。对于带隙基准源中使用的垂直型PNP管使用TCAD软件建立了三维模型，并通过仿真验证了其应用在带隙基准源中的单粒子敏感性。最后，针对带隙基准源单粒子敏感特性，提出了整体加固建议。