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  1. 带隙基准电压源设计

  2. 毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u010842530

  1. 带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

  2. 带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-15
    • 文件大小：78848
    • 提供者：zhupi1986

  1. 一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 一种低电压带隙基准电压源的设计

  2. 本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38623366

  1. BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

  2. 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下，输出基准参考电压为1.2 V，温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 dB，具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计，该偏置电路除了提供偏置电流外，还具备带宽调节功能，可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38539705

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 电源技术中的一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

  2. 一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 一款新颖的带隙基准电压源设计

  2. 基于TSMC0．5μmCMOS工艺，设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比，该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿，设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示，该电路所产生的基准电压精度为13．2×10-6／℃，低频时的电源抑制为-98dB，静态工作电流为3μA。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38725902

  1. 一种带隙基准电压源的设计与仿真

  2. 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：286720
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38590456

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38547532

  1. 电源技术中的低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 0 引言 　　基准电压源广泛应用于电源调节器、A／D和D／A转换器、数据采集系统，以及各种测量设备中。近年来，随着微电子技术的迅速发展，低压低功耗已成为当今电路设计的重要标准之一。比如，在一些使用电池的系统中，要求电源电压在3 V以下。因此，作为电源调节器、A／D和D／A转换器等电路核心功能模块之一的电压基准源，必然要求在低电源电压下工作。 　　在传统的带隙基准源设计中，输出电压常在1．25 V左右，这就限制了最小电源电压。另一方面，共集电极的寄生BJT和运算放大器的共模输入电压，也限制了P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：276480
    • 提供者：weixin_38741244

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 模拟技术中的一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 摘要：本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。     基准电压源在DAC电路中占有举足轻重的地位，其设计的好坏直接影响着DAC输出的精度和稳定性。而温度的变化、电源电压的波动和制造工艺的偏差都会影响基准电压的特性。本文针对如何设计一个低温度系数和高电源电压抑制比的基准电压源作了详细分析。    从DAC电路的实际工作环境考虑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 曲率补偿低温漂带隙基准电压源设计

  2. 曲率补偿低温漂带隙基准电压源设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38669832

  1. 低温漂高抑制比带隙基准电压源设计

  2. 低温漂高抑制比带隙基准电压源设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38723461

  1. 一种带隙基准电压源设计与修调方法研究

  2. 传统的带隙基准一般温度系数在20~100 ppm/°C，无法满足高精度的要求。本设计利用Cadence，Hspice等工具，对传统基准源电路进行改进，最终采用了放大器反馈方式的Brokaw结构，通过修调电路修调之后可以获得温度系数在4.5 ppm/°C以下，在工业级温度范围内误差小于±0.1%的2.5 V高精度带隙基准电压源。利用上海华虹NEC的BCD180工艺在Cadence下通过了仿真验证。并且研究了能够满足批量生产要求的基准源温度特性的修调方法。利用控制变量法分析影响基准源温度特性及精度的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：593920
    • 提供者：weixin_38627769
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